南(nán)京華瑞微集成電(diàn)路有限公司（以下(xià)簡稱華瑞微）成立于2018年5月，公司地址位于南(nán)京市浦口高新區科創廣場，是一(yī)家集功率器件産品研發、生(shēng)産、銷售和服務于一(yī)體(tǐ)的高新技術企業。華瑞微已經研發成功且量産的産品包括高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結MOS和SGT MOS，同時正在開(kāi)展第三代半導體(tǐ)（SiC、GaN）功率器件的研發工(gōng)作。

TRENCH MOS

溝槽式金屬氧化物(wù)場效應晶體(tǐ)管（ Trench MOSFET ）與傳統VDMOS相比，具有更低的導通電(diàn)阻Rdson和栅漏電(diàn)荷密度，從而可實現更低的導通和開(kāi)關損耗及更快的開(kāi)關速度。HRmicro的Trench MOSFET通過采用最先進的溝槽技術和芯片布局，可應用于工(gōng)作頻(pín)率小(xiǎo)于100kHz的各種應用領域，很好的補充HRmicro的SGT系列産品，具有抗沖擊能力強，輸出效率高，成本低等特點；HRmicro結合最先進的封裝技術，可實現更高的輸出功率和可靠性，同時擁有各種小(xiǎo)封裝産品可進一(yī)步提高電(diàn)路集成度。

SGT MOS

采用電(diàn)荷平衡原理，使得N型漂移區即使在較高摻雜(zá)濃度的情況下(xià)也能實現較高的擊穿電(diàn)壓，從而獲得較低的導通電(diàn)阻，打破傳統功率MOSFET的矽極限。 HRmicro SGT産品具有栅漏電(diàn)容(Cgd)小(xiǎo)，開(kāi)關損耗低 ,優值（FOM）低，抗大(dà)電(diàn)流沖擊能力（EAS）強等特點，結合先進的封裝技術增加了源極金屬的接觸面積，減少封裝寄生(shēng)電(diàn)阻，增強了器件高溫工(gōng)作狀态下(xià)的散熱性能。

SUPER JUNCTION

HRmicro推出的第二代、第三代超結MOSFET系列産品，打破了傳統平面VDMOS的矽極限，使得導通電(diàn)阻與擊穿電(diàn)壓的關系得到了極大(dà)的改進，由傳統的2.5次方變為線性關系，極大(dà)的優化了器件的品質因數FOM（Rdson*Qg），比傳統VDMOS具有更快的開(kāi)關速度，更低的開(kāi)關損耗，更優的轉換效率；第二代及第三代超結MOSFET分(fēn)别針對性的優化了EMI特性、産品特征導通電(diàn)阻特性，同時，也帶來了DFN 8*8、TO-247等多種多樣的封裝形式，全面适用于照明應用、各類電(diàn)源、适配器、手機、電(diàn)腦等多種應用場景； 第二代及第三代超結同時推出了快恢複系列産品，極大(dà)的縮短了超結MOSFET的反向恢複時間，提高了反向恢複能力，降低了反向恢複損耗，适用于半橋、全橋等拓撲電(diàn)路中(zhōng)，可應用于各種大(dà)功率電(diàn)源、充電(diàn)樁等産品中(zhōng)。