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這兩款适配器，看似體(tǐ)積以及外(wài)形都差别不大(dà)，但是從原理出發确是天壤之别。今天，我(wǒ)(wǒ)們從原理出發剖析市面上氮化镓的功能以及參數。
右側為氮化镓脫掉外(wài)衣的樣子，那麼！氮化镓氮化镓！到底是哪個電(diàn)子元器件添加了氮化镓呢？ 下(xià)圖是充電(diàn)器的主要電(diàn)子元器件。
其實充電(diàn)電(diàn)子元器件裡面，是晶體(tǐ)管裡面添加了氮化镓，而其他元器件均是常規電(diàn)子件。
這裡的晶體(tǐ)管是指MOSFET,半導體(tǐ)場效益晶體(tǐ)管。
而氮化镓晶體(tǐ)管與普通晶體(tǐ)管類似！底層也是純淨矽基，隻是在中(zhōng)間添加了氮化镓與氮化鋁镓！為電(diàn)子建設了高速通道
普通場效應管
那麼！增加了這麼一(yī)層氮化镓以及氮化鋁镓，相對于普通場效應管，又(yòu)有哪些變化呢？
一(yī)，更高的擊穿強度
二，更快的開(kāi)關頻(pín)率
三，更低的導通電(diàn)阻
四，更高的導熱系數
上圖為氮化镓與純淨矽的參考對比系數
1. 禁帶寬度，意思是當矽的電(diàn)子需要逃離(lí)共價鍵時需1.12EV的能量，而淺顯意見，氮化镓的電(diàn)子逃逸所需能量就需要3.42VE。所以才有第三列，擊穿電(diàn)場強度，氮化镓的擊穿電(diàn)壓值是純淨矽的11倍
2. 電(diàn)子遷移率：由表格可以看出氮化镓的電(diàn)子遷移率比矽的要高很多，而這裡的電(diàn)子遷移率意思是在一(yī)定電(diàn)壓，單位時間内通過物(wù)體(tǐ)的電(diàn)子數量。所以氮化镓的開(kāi)關速率就會更快，反應更加靈敏。
3. 熱導率就可以通俗易懂的理解為散熱的快慢(màn)
如此多的優點集一(yī)身的氮化镓所以才會使得充電(diàn)能夠更加高效，快捷，且安全。
那麼将氮化镓适配器與擴展塢進行結合呢？會迸發出怎樣的一(yī)個産品？
其實市面上早已有人先吃螃蟹
如圖！在沒有協議IC的情況下(xià)，氮化镓擴展塢直接将功率沖到30W，簡化了線路的同時也控制了成本 而在下(xià)圖可以看到，适配器上有一(yī)個全功能C口，一(yī)個USB3.0A口，一(yī)個HDMI口 雖然說此圖片上的産品沒有HUB功能，但是也是為了控制适配器大(dà)小(xiǎo)，如果還需要增加插口的話(huà)就需要用到HUB芯片。 解釋一(yī)下(xià)為何此産品沒有用HUB芯片
由于HDMI信号無需經過HUB芯片進行擴展以及控制，端子直接2 lenTX/RX,SBU1/SBU2與C口連接，如果對于分(fēn)辨率有極高的要求，可4 len與口連接，而關于芯片工(gōng)作電(diàn)壓問題可添加一(yī)顆DCDC進行降壓處理，給HDMI轉換芯片進行電(diàn)壓供應，而USB3.0A口與C口D+/D-進行連接,所以此産品無需HUB芯片進行數據複制擴展。
